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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD25NTR_晶体管-双极
UMD25NTR
授权代理品牌

UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C

晶体管-双极

+20:

¥1.164672

+100:

¥0.99

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¥0.815328

+800:

¥0.669744

+3000:

¥0.582336

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

自营 现货库存
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UMD25NTR_晶体管-双极
UMD25NTR
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UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C

晶体管-双极

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¥0.480808

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¥0.186067

+500:

¥0.179528

+1000:

¥0.176297

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

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UMD25NTR_晶体管-双极
UMD25NTR
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UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C

晶体管-双极

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¥0.430058

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¥0.306308

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¥0.260003

+3000:

¥0.226316

+18000:

¥0.223769

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

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UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C

晶体管-双极

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¥1.263401

+1000:

¥0.773122

+3000:

¥0.584459

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

自营 国内现货
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UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C

晶体管-双极

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¥0.679582

+6000:

¥0.641828

+15000:

¥0.585196

+30000:

¥0.547441

+75000:

¥0.514836

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

Digi-Key
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UMD25NTR_晶体管-双极
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晶体管-双极

+3000:

¥1.174316

+6000:

¥1.109077

+15000:

¥1.011217

+30000:

¥0.945978

+75000:

¥0.889633

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

UMD25NTR_晶体管-双极
授权代理品牌

UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C

晶体管-双极

+1:

¥5.313089

+10:

¥3.978638

+100:

¥2.478618

+500:

¥1.696232

+1000:

¥1.304796

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

UMD25NTR_晶体管-双极
授权代理品牌

UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMD25NTR_晶体管
UMD25NTR
授权代理品牌

UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C

晶体管

+1:

¥6.567353

+10:

¥4.981579

+100:

¥3.10748

+500:

¥2.130385

+1000:

¥1.63383

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

UMD25NTR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: UMT6
温度: