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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMH10NFHATN_晶体管-双极
UMH10NFHATN
授权代理品牌

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

晶体管-双极

+1:

¥0.559988

+200:

¥0.466697

+500:

¥0.373285

+1000:

¥0.311091

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

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UMH10NFHATN_null
UMH10NFHATN
授权代理品牌

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

+1:

¥2.669369

+100:

¥1.513578

+1000:

¥0.92622

+3000:

¥0.700313

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

自营 国内现货
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UMH10NFHATN_晶体管-双极
授权代理品牌

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

晶体管-双极

+3000:

¥0.612303

+6000:

¥0.578293

+15000:

¥0.527248

+30000:

¥0.495381

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

Digi-Key
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UMH10NFHATN_晶体管-双极
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NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

晶体管-双极

+3000:

¥1.497854

+6000:

¥1.414658

+15000:

¥1.289788

+30000:

¥1.211833

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

UMH10NFHATN_晶体管-双极
授权代理品牌

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

晶体管-双极

+1:

¥6.803274

+10:

¥5.074109

+100:

¥3.162106

+500:

¥2.163441

+1000:

¥1.664252

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

UMH10NFHATN_晶体管-双极
授权代理品牌

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

晶体管-双极

+1:

¥6.803274

+10:

¥5.074109

+100:

¥3.162106

+500:

¥2.163441

+1000:

¥1.664252

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UMH10NFHATN_晶体管
UMH10NFHATN
授权代理品牌

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

晶体管

+1:

¥7.77713

+10:

¥5.800444

+100:

¥3.629328

+500:

¥2.478961

+1000:

¥1.911879

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

UMH10NFHATN参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: UMT6
温度: