品牌： Texas Instruments

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q100

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 85°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

供应商器件封装： 18-SOIC

温度： -40°C # 85°C（TA）

品牌： Texas Instruments

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q100

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 85°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

供应商器件封装： 18-SOIC

温度： -40°C # 85°C（TA）

品牌： Texas Instruments

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q100

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 85°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

供应商器件封装： 18-SOIC

温度： -40°C # 85°C（TA）

品牌： Texas Instruments

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q100

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 85°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

供应商器件封装： 18-SOIC

温度： -40°C # 85°C（TA）

品牌： Texas Instruments

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q100

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 85°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

供应商器件封装： 18-SOIC

温度： -40°C # 85°C（TA）

品牌： Texas Instruments

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q100

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 85°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

供应商器件封装： 18-SOIC

温度： -40°C # 85°C（TA）

品牌： Texas Instruments

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q100

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 85°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

供应商器件封装： 18-SOIC

温度： -40°C # 85°C（TA）

品牌： Texas Instruments

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q100

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 85°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

供应商器件封装： 18-SOIC

温度： -40°C # 85°C（TA）

品牌： Texas Instruments

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q100

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 85°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

供应商器件封装： 18-SOIC

温度： -40°C # 85°C（TA）

品牌： Texas Instruments

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q100

零件状态： 在售

晶体管类型： 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -40°C # 85°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 18-SOIC（0.295，7.50mm 宽）

供应商器件封装： 18-SOIC

温度： -40°C # 85°C（TA）