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UMG9NTR_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

晶体管-双极

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¥0.518175

+100:

¥0.41895

+300:

¥0.363825

+1000:

¥0.33075

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

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UMG9NTR_晶体管-双极
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三极管(晶体管) UMG9NTR SOT-353

晶体管-双极

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¥0.665379

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¥0.449999

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¥0.33033

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¥0.239338

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¥0.227359

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

自营 现货库存
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UMG9NTR_null
UMG9NTR
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

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¥0.494494

+10:

¥0.410895

+30:

¥0.369095

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¥0.337746

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

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UMG9NTR_晶体管-双极
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

晶体管-双极

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¥0.284592

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

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UMG9NTR_null
UMG9NTR
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

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¥2.909376

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¥1.588464

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¥0.972144

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¥0.703872

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

自营 国内现货
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UMG9NTR_晶体管-双极
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

晶体管-双极

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¥0.508725

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

Digi-Key
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UMG9NTR_晶体管-双极
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

晶体管-双极

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¥1.244476

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

UMG9NTR_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

晶体管-双极

+1:

¥5.525342

+10:

¥4.15109

+25:

¥3.740232

+100:

¥1.972122

+250:

¥1.951721

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

UMG9NTR_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Mouser
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UMG9NTR_未分类
UMG9NTR
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

未分类

+1:

¥6.816248

+10:

¥5.140587

+100:

¥3.209317

+500:

¥2.20108

+1000:

¥1.689861

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

UMG9NTR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装: UMT5
温度: