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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ULN2803ADWR_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

双极晶体管预偏置

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¥40.781487

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¥37.804737

+30:

¥37.209387

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Texas Instruments

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -40°C # 85°C(TA)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-SOIC(0.295,7.50mm 宽)

供应商器件封装: 18-SOIC

温度: -40°C # 85°C(TA)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ULN2803ADWR_双极晶体管预偏置
ULN2803ADWR
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TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

双极晶体管预偏置

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¥89.8425

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¥76.366125

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¥62.88975

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¥56.151623

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¥51.659498

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Texas Instruments

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -40°C # 85°C(TA)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-SOIC(0.295,7.50mm 宽)

供应商器件封装: 18-SOIC

温度: -40°C # 85°C(TA)

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ULN2803ADWR_双极晶体管预偏置
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TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

双极晶体管预偏置

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¥14.324464

库存: 1000 +

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品牌: Texas Instruments

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -40°C # 85°C(TA)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-SOIC(0.295,7.50mm 宽)

供应商器件封装: 18-SOIC

温度: -40°C # 85°C(TA)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ULN2803ADWR_未分类
ULN2803ADWR

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

未分类

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¥14.479574

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¥13.96303

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¥13.455836

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¥13.205745

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¥13.08888

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Texas Instruments

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -40°C # 85°C(TA)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-SOIC(0.295,7.50mm 宽)

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温度: -40°C # 85°C(TA)

ULN2803ADWR_双极晶体管预偏置
ULN2803ADWR
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TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

双极晶体管预偏置

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¥17.29602

库存: 1000 +

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品牌: Texas Instruments

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -40°C # 85°C(TA)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-SOIC(0.295,7.50mm 宽)

供应商器件封装: 18-SOIC

温度: -40°C # 85°C(TA)

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¥50.239768

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¥45.299951

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¥42.975323

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¥40.774678

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¥38.695931

库存: 1000 +

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品牌: Texas Instruments

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封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -40°C # 85°C(TA)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-SOIC(0.295,7.50mm 宽)

供应商器件封装: 18-SOIC

温度: -40°C # 85°C(TA)

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双极晶体管预偏置

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¥31.002356

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¥30.179284

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¥29.63057

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¥28.807499

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¥28.807499

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Texas Instruments

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -40°C # 85°C(TA)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-SOIC(0.295,7.50mm 宽)

供应商器件封装: 18-SOIC

温度: -40°C # 85°C(TA)

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双极晶体管预偏置

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¥18.640656

库存: 1000 +

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品牌: Texas Instruments

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封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -40°C # 85°C(TA)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-SOIC(0.295,7.50mm 宽)

供应商器件封装: 18-SOIC

温度: -40°C # 85°C(TA)

ULN2803ADWR_双极晶体管预偏置
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TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

双极晶体管预偏置

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¥15.899153

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¥15.480754

+1500:

¥15.062355

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Texas Instruments

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -40°C # 85°C(TA)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-SOIC(0.295,7.50mm 宽)

供应商器件封装: 18-SOIC

温度: -40°C # 85°C(TA)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ULN2803ADWR_双极晶体管预偏置
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TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

双极晶体管预偏置

+2000:

¥3.008615

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¥2.892418

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Texas Instruments

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q100

零件状态: 在售

晶体管类型: 8 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -40°C # 85°C(TA)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-SOIC(0.295,7.50mm 宽)

供应商器件封装: 18-SOIC

温度: -40°C # 85°C(TA)

ULN2803ADWR参数规格

属性 参数值
品牌: Texas Instruments
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q100
零件状态: 在售
晶体管类型: 8 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.6V 500µA,350mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -
功率 - 最大值: -
频率 - 跃迁: -
工作温度: -40°C # 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 18-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
供应商器件封装: 18-SOIC
温度: -40°C # 85°C(TA)