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	UMH2NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	三极管(晶体管) UMH2NTN SOT-363 下载数据手册晶体管-双极	+300：￥0.712811 +500：￥0.482064 +1000：￥0.353804 +3000：￥0.256399 +6000：￥0.243573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMH2NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.841918	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMH2NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册未分类	+500：￥1.490607 +1000：￥1.144378 +3000：￥0.961712 +9000：￥0.884734 +24000：￥0.781055	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：
	UMH2NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册未分类	+3000：￥0.667492 +9000：￥0.64188 +12000：￥0.634925 +30000：￥0.614372 +45000：￥0.593819	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：
	UMH2NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册未分类	+5：￥3.625298 +100：￥2.219265 +500：￥1.5258 +1000：￥1.179012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMH2NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册	+1：￥2.909376 +100：￥1.588464 +1500：￥0.972144 +3000：￥0.703872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

自营国内现货

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	UMH2NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.578794 +6000：￥0.546617 +15000：￥0.498407 +30000：￥0.466231 +75000：￥0.455018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

Digi-Key

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	UMH2NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥1.415882 +6000：￥1.33717 +15000：￥1.219236 +30000：￥1.140524 +75000：￥1.113094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：
	UMH2NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥6.228022 +10：￥4.664391 +100：￥2.904644 +500：￥1.987137 +1000：￥1.528649	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
	UMH2NTN Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥6.228022 +10：￥4.664391 +100：￥2.904644 +500：￥1.987137 +1000：￥1.528649	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

UMH2NTN参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	47 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	68 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	150mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	UMT6
温度: