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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 下载数据手册射频晶体管	+20：￥3.084768 +100：￥2.622096 +300：￥2.15928 +800：￥1.773792 +3000：￥1.542384	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 6V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，扁平引线供应商器件封装： TUMT6 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	US6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 下载数据手册未分类	+5：￥0.927507 +50：￥0.81736 +150：￥0.770154 +500：￥0.594115	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 6V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，扁平引线供应商器件封装： TUMT6 温度： 150°C（TJ）

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	US6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.913066	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 6V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，扁平引线供应商器件封装： TUMT6 温度： 150°C（TJ）

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	US6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.718611 +200：￥1.18726 +1500：￥1.078559 +3000：￥1.007249 +45000：￥0.998336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 6V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，扁平引线供应商器件封装： TUMT6 温度： 150°C（TJ）

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	US6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 下载数据手册	+1：￥6.624144 +100：￥3.755952 +1500：￥2.381184 +3000：￥1.77408	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 6V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，扁平引线供应商器件封装： TUMT6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	US6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.612463 +6000：￥1.508435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 6V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，扁平引线供应商器件封装： TUMT6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.691641 +6000：￥2.554823 +9000：￥2.372273 +30000：￥2.31757	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 6V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，扁平引线供应商器件封装： TUMT6 温度： 150°C（TJ）
	US6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.97486 +10：￥6.828474 +100：￥4.745042 +500：￥3.704572 +1000：￥3.011009	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-SMD, Flat Leads 供应商器件封装： TUMT6
	US6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.97486 +10：￥6.828474 +100：￥4.745042 +500：￥3.704572 +1000：￥3.011009	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-SMD, Flat Leads 供应商器件封装： TUMT6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 下载数据手册未分类	+1：￥10.139428 +10：￥8.048171 +100：￥6.004444 +500：￥4.705329 +1000：￥3.818129	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 6V 功率 - 最大值： 320mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-SMD，扁平引线供应商器件封装： TUMT6 温度： 150°C（TJ）

US6J11TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	260 毫欧 1.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	290pF 6V
功率 - 最大值:	320mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	TUMT6
温度:	150°C（TJ）