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US6M11TR_射频晶体管
US6M11TR
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

射频晶体管

+20:

¥2.195908

+100:

¥1.642333

+800:

¥1.273283

+3000:

¥0.922625

+6000:

¥0.876524

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V,12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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US6M11TR_未分类
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

未分类

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¥1.764973

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¥1.420763

+150:

¥1.273246

+500:

¥1.08923

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V,12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

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US6M11TR_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

射频晶体管

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¥1.920996

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V,12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

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US6M11TR_null
US6M11TR
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MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

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¥7.948973

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¥4.507142

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¥2.128896

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V,12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

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MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

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库存: 1000 +

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V,12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

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温度: 150°C(TJ)

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射频晶体管

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¥2.772878

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V,12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

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授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

射频晶体管

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¥10.86203

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¥7.312747

+100:

¥5.005714

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¥3.953781

+1000:

¥3.606349

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

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MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

射频晶体管

+1:

¥10.86203

+10:

¥7.312747

+100:

¥5.005714

+500:

¥3.953781

+1000:

¥3.606349

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

Mouser
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US6M11TR
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MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

未分类

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¥7.462302

+10:

¥6.384415

+100:

¥4.427634

+500:

¥3.399494

+1000:

¥3.018088

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V,12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

US6M11TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V,12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.8nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 10V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMT6
温度: 150°C(TJ)