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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
US6M2TR_射频晶体管
US6M2TR
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MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

射频晶体管

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¥1.290816

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¥0.922032

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¥0.922032

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 80pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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US6M2TR
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MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 80pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

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US6M2TR_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

射频晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 80pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

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US6M2TR
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MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

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库存: 1000 +

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 80pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

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MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

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¥3.117919

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 80pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

温度: 150°C(TJ)

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射频晶体管

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¥8.772775

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¥4.425432

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¥3.419652

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: TUMT6

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射频晶体管

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¥1.541623

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¥1.108874

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货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

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US6M2TR_未分类
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MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

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¥9.115668

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¥4.897971

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¥3.918377

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V,20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 80pF 10V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

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US6M2TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.2nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 80pF 10V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C(TJ)
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封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMT6
温度: 150°C(TJ)