UMG8NTR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 UMG8NTR 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMG8NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.290961 +10：￥0.268581 +30：￥0.264104 +100：￥0.250676	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： UMT5 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMG8NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	三极管(晶体管) UMG8NTR SOT-353 下载数据手册晶体管-双极	+20：￥0.665379 +100：￥0.449999 +800：￥0.33033 +3000：￥0.239338 +6000：￥0.227359	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： UMT5 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMG8NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 下载数据手册晶体管-双极	+10：￥0.25401 +100：￥0.221129 +300：￥0.204688 +3000：￥0.192358 +6000：￥0.182494	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： UMT5 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMG8NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.569184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： UMT5 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMG8NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： UMT5 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMG8NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 下载数据手册	+1：￥2.432304 +100：￥1.405872 +1500：￥0.89136 +3000：￥0.6444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： UMT5 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMG8NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.537463 +6000：￥0.507562 +15000：￥0.462818 +30000：￥0.432917 +75000：￥0.422516	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： UMT5 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMG8NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥1.314776 +6000：￥1.24163 +15000：￥1.132175 +30000：￥1.059029 +75000：￥1.033587	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： UMT5 温度：
	UMG8NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.697978 +10：￥4.333114 +100：￥2.696602 +500：￥1.845351 +1000：￥1.419459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
	UMG8NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.697978 +10：￥4.333114 +100：￥2.696602 +500：￥1.845351 +1000：￥1.419459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

UMG8NTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	80 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	150mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
供应商器件封装:	UMT5
温度: