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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UF3C065080B3_晶体管-FET,MOSFET-单个
+800:

¥60.050275

+1600:

¥54.045247

+2400:

¥52.043572

+5600:

¥49.241226

+20000:

¥48.04022

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: -

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -

UF3C065080B3_晶体管-FET,MOSFET-单个
+1:

¥95.264942

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¥86.07206

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¥82.068709

+100:

¥68.056979

+250:

¥64.053626

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (D2Pak)

UF3C065080B3_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (D2Pak)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
UF3C065080B3_晶体管
UF3C065080B3

MOSFET 650V 25A TO263

晶体管

+1:

¥101.394274

+25:

¥94.264989

+100:

¥81.590705

+250:

¥71.768134

+500:

¥70.817564

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: UnitedSiC

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: -

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -

UF3C065080B3参数规格

属性 参数值
品牌: UnitedSiC
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: -
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
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功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(D2Pak)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -