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UMB11NTN_晶体管-双极
UMB11NTN
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

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晶体管-双极
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国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： UMT6

温度：

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UMB11NTN_晶体管-双极
UMB11NTN
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

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晶体管-双极
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￥0.264748

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： UMT6

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UMB11NTN_null
UMB11NTN
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
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￥0.284435

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￥0.265152

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： UMT6

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UMB11NTN_晶体管-双极
UMB11NTN
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

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晶体管-双极
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品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： UMT6

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UMB11NTN
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
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￥0.972144

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￥0.703872

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国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： UMT6

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自营 国内现货
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晶体管-双极
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￥0.167738

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￥0.158352

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￥0.148967

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￥0.144795

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： UMT6

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Digi-Key
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UMB11NTN_晶体管-双极
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晶体管-双极
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￥0.410333

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￥0.364412

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￥0.354206

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货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： UMT6

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UMB11NTN
Rohm Semiconductor(罗姆)
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晶体管-双极
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￥0.535336

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￥0.410333

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货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 150mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

UMB11NTN_晶体管-双极
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晶体管-双极
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￥0.535336

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￥0.410333

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￥0.387372

+1000：

￥0.364412

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￥0.354206

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货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值： 150mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
UMB11NTN_晶体管
UMB11NTN
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授权代理品牌

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晶体管
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货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： UMT6

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UMB11NTN参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 20 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: UMT6
温度: