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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMD5NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+20：￥1.04544 +100：￥0.707003 +800：￥0.518969 +3000：￥0.376068 +6000：￥0.357313	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧，10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW，120mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

自营现货库存

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	UMD5NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 下载数据手册未分类	+5：￥0.627024 +50：￥0.500989 +150：￥0.437971 +500：￥0.390708 +2500：￥0.352898	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧，10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW，120mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMD5NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.438746	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧，10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW，120mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMD5NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 下载数据手册未分类	+3000：￥0.333829	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧，10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW，120mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

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	UMD5NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 下载数据手册	+1：￥2.455632 +100：￥1.419408 +1500：￥0.899856 +3000：￥0.650592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧，10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW，120mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

自营国内现货

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	UMD5NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.442149 +6000：￥0.403563 +9000：￥0.383675 +15000：￥0.361224 +21000：￥0.347841	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧，10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW，120mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	UMD5NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥1.081614 +6000：￥0.987222 +9000：￥0.938572 +15000：￥0.883651 +21000：￥0.850912	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧，10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW，120mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：
	UMD5NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥3.977646 +10：￥2.723157 +100：￥1.831247 +500：￥1.407475 +1000：￥1.265657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW, 120mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
	UMD5NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥3.977646 +10：￥2.723157 +100：￥1.831247 +500：￥1.407475 +1000：￥1.265657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW, 120mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mouser

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	UMD5NTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 下载数据手册未分类	+1：￥6.139328 +10：￥4.624961 +100：￥2.619446 +500：￥1.746298 +1000：￥1.33701	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 47 千欧，4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧，10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V / 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW，120mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： UMT6 温度：

UMD5NTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	47 千欧，4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	47 千欧，10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	68 5mA，5V / 30 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	150mW，120mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	UMT6
温度: