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UMA1NTR_晶体管-双极
UMA1NTR
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

晶体管-双极

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¥1.129536

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¥0.960048

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¥0.790704

+800:

¥0.64944

+3000:

¥0.564768

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

自营 现货库存
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UMA1NTR_晶体管-双极
UMA1NTR
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

晶体管-双极

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¥0.393781

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¥0.380623

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¥0.374121

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

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UMA1NTR_晶体管-双极
UMA1NTR
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

晶体管-双极

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¥0.449506

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¥0.289059

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¥0.252131

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¥0.222843

+45000:

¥0.220296

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

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UMA1NTR
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

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¥2.522362

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¥1.430266

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¥0.875232

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¥0.661651

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

自营 国内现货
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UMA1NTR_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

晶体管-双极

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¥0.564106

+6000:

¥0.539354

+9000:

¥0.466468

+30000:

¥0.457736

+75000:

¥0.379005

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

Digi-Key
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UMA1NTR_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

晶体管-双极

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¥0.974773

+6000:

¥0.932002

+9000:

¥0.806054

+30000:

¥0.790967

+75000:

¥0.654919

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

UMA1NTR_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

晶体管-双极

+1:

¥5.362061

+10:

¥3.790853

+100:

¥1.914131

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¥1.561733

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¥1.158704

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

UMA1NTR_晶体管-双极
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晶体管-双极

+1:

¥5.362061

+10:

¥3.790853

+100:

¥1.914131

+500:

¥1.561733

+1000:

¥1.158704

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Mouser
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晶体管

+1:

¥6.975965

+10:

¥5.231975

+100:

¥2.045228

+1000:

¥1.52203

+3000:

¥1.252503

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供应商器件封装: UMT5

温度:

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UMA1NTR_未分类
UMA1NTR
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 5-Pin UMT T/R

未分类

+329:

¥2.207076

+500:

¥2.126499

+1000:

¥2.057963

+2500:

¥1.996833

+5000:

¥1.94219

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

UMA1NTR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装: UMT5
温度: