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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+10：￥1.513644 +100：￥1.380087 +500：￥1.246531 +1000：￥1.112974 +2000：￥1.023936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+10：￥1.236257 +200：￥0.835989 +500：￥0.613712 +1800：￥0.444675 +3600：￥0.422411	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.840345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+1：￥3.73629 +10：￥3.202548 +30：￥2.802244 +100：￥2.359778 +500：￥2.241732	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1MHE3_A/H Texas Instruments(德州仪器) 授权代理品牌	ULN2003ADR TEXAS INSTRUMENTS 下载数据手册未分类	+1：￥0.666018 +50：￥0.649319 +100：￥0.632728 +500：￥0.621595	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	US1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+1800：￥1.27575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+1：￥1.216621 +50：￥0.927827 +900：￥0.836237 +1800：￥0.746964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+100：￥2.693324 +500：￥2.028 +1000：￥1.880136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US1MHE3_A/H General(通用电缆) 授权代理品牌	US1MHE3_A/H GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY) 下载数据手册未分类	+1800：￥1.446608 +5400：￥1.396666 +7200：￥1.386727 +18000：￥1.356786 +27000：￥1.316906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	US1MHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+1800：￥1.090142 +3600：￥1.074802 +7200：￥1.059341 +10800：￥1.044002 +14400：￥1.021056	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

US1MHE3_A/H参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1000 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.7 V 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容:	10pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AC，SMA
供应商器件封装:	DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: