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搜索 US2MA 共 29 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US2MA ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+5：￥2.900249 +50：￥2.416854 +150：￥1.933459 +500：￥1.611236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US2MA FUXINSEMI(富芯微) 授权代理品牌	直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 反向恢复时间(trr)：75ns VRRM(V) 1000 VR(V) 1000 IO(A) 2 IFSM(A) 50 IF(A) 2 下载数据手册未分类	+20：￥0.158664 +200：￥0.126647 +600：￥0.108945 +5000：￥0.098236 +10000：￥0.089057	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	直流反向耐压(Vr)： 1kV 平均整流电流(Io)： 2A 反向恢复时间(trr)： 75ns
	US2MA null(静芯微) 授权代理品牌	电压:1kV 电流:2A 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 反向恢复时间(trr):75ns 下载数据手册未分类	+10：￥0.104028 +100：￥0.084687 +300：￥0.073978 +1000：￥0.067531 +5000：￥0.061958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	电压： 1kV 电流： 2A 二极管配置：独立式正向压降(Vf)： 1.7V 直流反向耐压(Vr)： 1kV 平均整流电流(Io)： 2A 反向恢复时间(trr)： 75ns
	US2MA ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+5：￥1.457698 +50：￥1.176212 +150：￥1.055683 +500：￥0.905105 +2500：￥0.750594	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US2MA ZHIDE(志得) 授权代理品牌	US2MA 下载数据手册未分类	+20：￥0.128942 +200：￥0.126101 +600：￥0.124134 +2000：￥0.122276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US2MA ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥1.123001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US2MA ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+7500：￥1.426194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US2MA ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+7500：￥0.902484 +22500：￥0.887436 +37500：￥0.872386 +75000：￥0.857338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	US2MA 华轩阳电子(华轩阳电子) 授权代理品牌	US2MA HXY MOSFET/深圳华轩阳电子下载数据手册未分类	+2000：￥0.908504 +6000：￥0.893339 +10000：￥0.870766	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	US2MA ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+7500：￥0.671792 +15000：￥0.623636 +22500：￥0.598997 +37500：￥0.592555	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 1.5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 75 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

US2MA参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1000 V
电流 - 平均整流 (Io):	1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.7 V 1.5 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容:	30pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AC，SMA
供应商器件封装:	DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: