TSM220NB06LCR RLG厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.171941	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1314 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PDFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.862824 +5000：￥4.491069 +7500：￥4.30152 +12500：￥4.088867 +17500：￥4.069437	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1314 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PDFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.664335 +10：￥11.76465 +100：￥7.744169 +500：￥6.019708 +1000：￥5.464367	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PDFN (5x6)
TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.664335 +10：￥11.76465 +100：￥7.744169 +500：￥6.019708 +1000：￥5.464367	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PDFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 下载数据手册晶体管	+5000：￥4.394467 +10000：￥4.245222	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1314 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PDFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

TSM220NB06LCR RLG参数规格

属性	参数值
品牌:	Taiwan Semiconductor Corporation
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1314 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），68W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PDFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）