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	TP0610K-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.093427	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	TP0610K-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.565628 +200：￥2.411288 +800：￥1.769988 +3000：￥1.2826 +6000：￥1.21847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	TP0610K-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.213821 +50：￥1.071927 +150：￥1.049556 +500：￥1.015947	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	TP0610K-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.328096	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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TP0610K-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.724398 +50：￥1.324307 +1500：￥1.188279 +3000：￥1.070726 +18000：￥1.052791	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
TP0610K-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.503986 +6000：￥1.478056 +9000：￥1.452125 +12000：￥1.426194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
TP0610K-T1-E3 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	TP0610K-T1-E3 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.250017 +3000：￥0.239644 +9000：￥0.229164 +102000：￥0.212524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	TP0610K-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.889891 +2：￥0.967585 +4：￥0.890044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	TP0610K-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.746834 +6000：￥0.715821 +9000：￥0.644274 +30000：￥0.634695 +75000：￥0.596556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	TP0610K-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.20071 +6000：￥2.104328 +9000：￥2.040074 +15000：￥2.018655 +21000：￥1.947671	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

TP0610K-T1-E3参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	185mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.7 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TP0610K-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.724398 +50：￥1.324307 +1500：￥1.188279 +3000：￥1.070726 +18000：￥1.052791	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
TP0610K-T1-E3 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.503986 +6000：￥1.478056 +9000：￥1.452125 +12000：￥1.426194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 185mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.7 nC 15 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
TP0610K-T1-E3 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	TP0610K-T1-E3 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.250017 +3000：￥0.239644 +9000：￥0.229164 +102000：￥0.212524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数