品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2.5V 8mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，4V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2.5V 8mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，4V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP - Darlington

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 2.5V @ 8mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 2mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 1000 @ 1A, 4V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-220-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 2 W

品牌： onsemi

包装： *

封装/外壳： TO-220-3

系列： TIP117

产品种类： 达林顿晶体管

配置： Single

晶体管极性： PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO： 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—基极电压 VCBO： 100 V

最大直流电集电极电流： 2 A

最大集电极截止电流： 1000 uA

安装风格： Through Hole

商标： onsemi / Fairchild

直流集电极/Base Gain hfe Min： 1000 at 1 A at 4 V, 500 at 2 A at 4 V

高度： 9.4 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： Darlington Transistors

宽度： 4.83 mm

零件号别名： TIP117TU_NL

单位重量： 1.214 g

温度： - 65 C~+ 150 C