品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2.5V 8mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，4V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2.5V 8mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，4V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2.5V 8mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，4V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）