品牌： onsemi

包装： 管件,散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 4V 20mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 3A，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件,散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 4V 20mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 500µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 3A，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： TIP121

产品种类： 达林顿晶体管

配置： Single

晶体管极性： NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO： 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—基极电压 VCBO： 80 V

最大直流电集电极电流： 5 A

最大集电极截止电流： 200 uA

Pd-功率耗散： 65 W

安装风格： Through Hole

商标： onsemi

集电极连续电流： 5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 1000

高度： 15.75 mm

长度： 10.53 mm

产品类型： Darlington Transistors

宽度： 4.83 mm

单位重量： 2 g

温度： - 65 C~+ 150 C