品牌： Central Semiconductor Corp

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2.5V 8mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，4V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 25MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： Central Semiconductor Corp

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2.5V 8mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，4V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 25MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件,散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2.5V 8mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，4V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220

温度： -65°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP - Darlington

Operating Temperature： -65°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 2.5V @ 8mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 2mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 1000 @ 1A, 4V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-220

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 80 V

Power - Max： 50 W