![TIP32AG_未分类]() | TIP32AG | TRANS PNP 60V 3A TO220 未分类 | | | Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Transistor Type： PNP Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max)： 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition： 3MHz Supplier Device Package： TO-220 Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V Power - Max： 2 W |
 | TIP32AG | TRANS PNP 60V 3A TO220 未分类 | | | 品牌： onsemi 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 3MHz 工作温度： -65°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220 温度： -65°C # 150°C（TJ） |
| TIP32AG | | | | 品牌： onsemi 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 3MHz 工作温度： -65°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220 温度： -65°C # 150°C（TJ） |
| TIP32AG | | | | 品牌： onsemi 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 3MHz 工作温度： -65°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220 温度： -65°C # 150°C（TJ） |
| TIP32AG | | | | 品牌： onsemi 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 3MHz 工作温度： -65°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220 温度： -65°C # 150°C（TJ） |
| TIP32AG | | | | 品牌： onsemi 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 3MHz 工作温度： -65°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220 温度： -65°C # 150°C（TJ） |
| TIP32AG | | | | 品牌： onsemi 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 3MHz 工作温度： -65°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220 温度： -65°C # 150°C（TJ） |
| TIP32AG | | | | 品牌： onsemi 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 3MHz 工作温度： -65°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220 温度： -65°C # 150°C（TJ） |
| TIP32AG | | | | 品牌： onsemi 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 3MHz 工作温度： -65°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220 温度： -65°C # 150°C（TJ） |
