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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TIP115_双极性晶体管
TIP115
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 60V 2A TO220

双极性晶体管

+1:

¥11.877239

+10:

¥9.8978

+50:

¥7.91824

+100:

¥6.598493

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: Tube

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP - Darlington

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2.5V 8mA, 2A

电流 - 集电极截止(最大值): 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A, 4V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220

温度: 150°C (TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TIP115_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 60V 2A TO220

双极性晶体管

+1:

¥3.225376

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: Tube

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP - Darlington

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2.5V 8mA, 2A

电流 - 集电极截止(最大值): 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A, 4V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220

温度: 150°C (TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TIP115_未分类
TIP115
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 60V 2A TO220-3

未分类

+6748:

¥1.2761

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件,散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2.5V 8mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,4V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TIP115_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 60V 2A TO-220

双极性晶体管

+5:

¥4.88106

+10:

¥4.637007

+20:

¥4.392954

+50:

¥4.148901

+100:

¥4.05128

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件,散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2.5V 8mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,4V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

温度: 150°C(TJ)

TIP115_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 60V 2A TO-220AB

双极性晶体管

+5:

¥4.88106

+10:

¥4.637007

+20:

¥4.392954

+50:

¥4.148901

+100:

¥4.05128

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Central Semiconductor Corp

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2.5V 8mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,4V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: 25MHz

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

温度: -65°C # 150°C(TJ)

TIP115_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP DARL 60V 2A TO-220

双极性晶体管

+5:

¥4.88106

+10:

¥4.637007

+20:

¥4.392954

+50:

¥4.148901

+100:

¥4.05128

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: Tube

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP - Darlington

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2.5V 8mA, 2A

电流 - 集电极截止(最大值): 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A, 4V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220

温度: 150°C (TJ)

TIP115_双极性晶体管
TIP115
授权代理品牌

PNP EPITAXIAL SILICON DARLINGTON

双极性晶体管

+5:

¥4.88106

+10:

¥4.637007

+20:

¥4.392954

+50:

¥4.148901

+100:

¥4.05128

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件,散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2.5V 8mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,4V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

温度: 150°C(TJ)

TIP115_null
TIP115
授权代理品牌

PNP DARLINGTON TRANSISTOR

+5:

¥4.88106

+10:

¥4.637007

+20:

¥4.392954

+50:

¥4.148901

+100:

¥4.05128

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Harris Corporation

包装: Tube

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

晶体管类型: PNP - Darlington

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2.5V 8mA, 2A

电流 - 集电极截止(最大值): 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A, 4V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: 25MHz

工作温度: -65°C ~ 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

温度: -65°C ~ 150°C (TJ)

TIP115_双极性晶体管
授权代理品牌
+5:

¥4.88106

+10:

¥4.637007

+20:

¥4.392954

+50:

¥4.148901

+100:

¥4.05128

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: NTE Electronics, Inc

包装: Bag

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP - Darlington

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2.5V 8mA, 2A

电流 - 集电极截止(最大值): 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A, 4V

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: 25MHz

工作温度: -65°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

温度: -65°C # 150°C (TJ)

TIP115_未分类
TIP115
授权代理品牌

TO 220 2.0 AMP DARLINGTON TRANSI

未分类

+5:

¥4.88106

+10:

¥4.637007

+20:

¥4.392954

+50:

¥4.148901

+100:

¥4.05128

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Solid State Inc.

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP - Darlington

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2.5V 8mA, 2A

电流 - 集电极截止(最大值): 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A, 4V

功率 - 最大值: 50 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220

温度: -65°C # 150°C (TJ)

TIP115参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件,散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2.5V 8mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,4V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3
温度: 150°C(TJ)