 | | TRANS NPN 100V 1A TO220AB 双极性晶体管 | | | 品牌: onsemi 包装: 管件 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV 125mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 15 1A,4V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: 3MHz 工作温度: -65°C # 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220 温度: -65°C # 150°C(TJ) |
 | | TRANS NPN 100V 1A TO-220 双极性晶体管 | | | 品牌: STMicroelectronics 包装: Tube 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV 125mA, 1A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 15 1A, 4V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: - 工作温度: 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220 温度: 150°C (TJ) |
 | | TRANS NPN 100V 1A TO220AB 双极性晶体管 | | | 品牌: NTE Electronics, Inc 包装: Bag 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV 125mA, 1A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 15 1A, 4V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: 3MHz 工作温度: -65°C # 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220 温度: -65°C # 150°C (TJ) |
 | | TIP29 - NPN TRANS 100V 1A 双极性晶体管 | | | 品牌: onsemi 包装: 管件 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV 125mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值): 300µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 15 1A,4V 功率 - 最大值: 2 W 频率 - 跃迁: 3MHz 工作温度: -65°C # 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220 温度: -65°C # 150°C(TJ) |
![TIP29C_未分类]() | TIP29C | TO 220 1.0 AMP SILICON TRANSISTO 未分类 | | | Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: - Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: - Current - Collector Cutoff (Max): - DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Frequency - Transition: - Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active |