TPH1R306PL,L1Q厂家价格_数据手册

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	TPH1R306PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.585414 +10：￥14.947614 +30：￥12.309814 +100：￥10.990914 +500：￥10.111607	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.34mOhm 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

自营现货库存

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	TPH1R306PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥10.359052 +10：￥8.851089 +30：￥7.922271 +100：￥6.960671 +500：￥6.52358	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.34mOhm 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

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	TPH1R306PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥18.426612 +10000：￥17.958237 +15000：￥17.801957	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.34mOhm 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

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	TPH1R306PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.34mOhm 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH1R306PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥5.146425 +10000：￥4.976038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.34mOhm 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPH1R306PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥12.831731	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.34mOhm 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C
TPH1R306PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.765274 +10：￥26.986793 +100：￥18.584783 +500：￥14.988686 +1000：￥13.833179	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)
TPH1R306PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.765274 +10：￥26.986793 +100：￥18.584783 +500：￥14.988686 +1000：￥13.833179	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-SOP Advance (5x5)

Mouser

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	TPH1R306PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥40.793918 +10：￥27.195945 +100：￥19.236157 +500：￥15.521588 +1000：￥13.913048	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.34mOhm 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta），170W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP Advance（5x5）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPH1R306PL,L1Q Toshiba 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥20.376453 +10000：￥20.291325 +15000：￥20.206199 +20000：￥20.12107 +25000：￥20.032847	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPH1R306PL,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIX-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.34mOhm 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	91 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8100 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	960mW（Ta），170W（Tc）
工作温度:	175°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	175°C