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TT8J2TR_null
TT8J2TR
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MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8

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¥11.318256

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¥6.54192

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¥4.147632

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¥2.9988

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 84mOhm 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-TSST

温度: 150°C (TJ)

自营 国内现货
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TT8J2TR_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8

射频晶体管

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¥2.187672

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 84mOhm 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-TSST

温度: 150°C (TJ)

Digi-Key
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TT8J2TR_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8

射频晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

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不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 84mOhm 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-TSST

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TT8J2TR_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8

射频晶体管

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¥13.890019

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¥12.175027

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¥9.337495

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¥7.381553

+1000:

¥5.905243

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

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Mouser
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TT8J2TR
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MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8

晶体管

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¥10.677353

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¥8.441426

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品牌: Rohm Semiconductor

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系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 84mOhm 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8nC 5V

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功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C (TJ)

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封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-TSST

温度: 150°C (TJ)

艾睿
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TT8J2TR_未分类
TT8J2TR
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 8-Pin TSST T/R

未分类

+1:

¥2.23972

+10:

¥1.962612

+25:

¥1.942615

+50:

¥1.922617

+100:

¥1.459817

库存: 0

货期:7~10 天

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TT8J2TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 P-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 84mOhm 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装: 8-TSST
温度: 150°C (TJ)