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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TP0610KL-TR1-E3_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3 nC 15 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-226AA(TO-92)

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

TP0610KL-TR1-E3_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供应商器件封装: TO-226AA

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TP0610KL-TR1-E3_未分类
TP0610KL-TR1-E3
授权代理品牌

MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchFET®

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3 nC 15 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-226AA(TO-92)

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

TP0610KL-TR1-E3参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchFET®
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 欧姆 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3 nC 15 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 800mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-226AA(TO-92)
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
温度: -55°C # 150°C(TJ)