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TT8J11TCR_射频晶体管
TT8J11TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8

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射频晶体管
+1：

￥1.417273

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￥1.181081

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￥0.944768

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￥0.787347

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏源电压（Vdss）： 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600pF 6V

功率 - 最大值： 650mW

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装： 8-TSST

温度： 150°C (TJ)

自营 现货库存
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TT8J11TCR_射频晶体管
TT8J11TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
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MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8

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射频晶体管
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￥0.562755

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￥0.533251

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏源电压（Vdss）： 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600pF 6V

功率 - 最大值： 650mW

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装： 8-TSST

温度： 150°C (TJ)

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TT8J11TCR_null
TT8J11TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
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￥9.094752

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￥5.25672

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￥3.332736

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￥2.409552

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏源电压（Vdss）： 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600pF 6V

功率 - 最大值： 650mW

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装： 8-TSST

温度： 150°C (TJ)

自营 国内现货
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TT8J11TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
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MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8

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射频晶体管
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￥1.241785

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￥1.178689

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￥1.094463

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￥1.069225

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏源电压（Vdss）： 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600pF 6V

功率 - 最大值： 650mW

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装： 8-TSST

温度： 150°C (TJ)

Digi-Key
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MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8

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射频晶体管
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￥3.037735

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￥2.883385

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￥2.677348

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￥2.615607

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏源电压（Vdss）： 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600pF 6V

功率 - 最大值： 650mW

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装： 8-TSST

温度： 150°C (TJ)

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Rohm Semiconductor(罗姆)
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MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8

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射频晶体管
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￥9.062789

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￥7.703372

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￥5.354126

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￥4.18078

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￥3.398263

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装： 8-TSST

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射频晶体管
+1：

￥9.062789

+10：

￥7.703372

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￥5.354126

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￥4.18078

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￥3.398263

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货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装： 8-TSST

Mouser
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晶体管
+1：

￥10.360083

+10：

￥8.806071

+100：

￥6.135113

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￥4.791541

+1000：

￥3.885032

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货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

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零件状态： Active

FET 类型： 2 P-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏源电压（Vdss）： 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600pF 6V

功率 - 最大值： 650mW

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装： 8-TSST

温度： 150°C (TJ)

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TT8J11TCR_未分类
TT8J11TCR
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Trans MOSFET P-CH Si 12V 3.5A 8-Pin TSST T/R

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￥2.951417

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￥2.833004

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￥2.730616

+1000：

￥2.641584

+2500：

￥2.563235

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货期：7~10 天

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TT8J11TCR
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Trans MOSFET P-CH Si 12V 3.5A 8-Pin TSST T/R

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￥2.951417

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￥2.833004

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￥2.730616

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￥2.641584

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￥2.563235

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TT8J11TCR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 P-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏源电压（Vdss）: 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 43mOhm 3.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2600pF 6V
功率 - 最大值: 650mW
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装: 8-TSST
温度: 150°C (TJ)