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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TSM9933DCS RLG_射频晶体管

MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 8SOP

射频晶体管

+2500:

¥1.678608

+5000:

¥1.510771

+12500:

¥1.398879

+25000:

¥1.376466

+62500:

¥1.342933

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.7A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 4.7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 640pF 10V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TSM9933DCS RLG_射频晶体管

MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 8SOP

射频晶体管

+2500:

¥4.10632

+5000:

¥3.695746

+12500:

¥3.422028

+25000:

¥3.367201

+62500:

¥3.285169

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.7A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 4.7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 640pF 10V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

TSM9933DCS RLG_射频晶体管

MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 8SOP

射频晶体管

+10:

¥0.511862

+100:

¥0.37843

+300:

¥0.353922

+1000:

¥0.329415

+5000:

¥0.318522

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP

TSM9933DCS RLG_射频晶体管

MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 8SOP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP

Mouser
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TSM9933DCS RLG_晶体管
TSM9933DCS RLG

MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 8SOP

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.7A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 4.7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 640pF 10V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

TSM9933DCS RLG参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.7A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 4.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 640pF 10V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOP
温度: -55°C # 150°C(TJ)