品牌： Central Semiconductor Corp

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 5A，4V

功率 - 最大值： 125 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-218-3

供应商器件封装： TO-218

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： Central Semiconductor Corp

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 5A，4V

功率 - 最大值： 125 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-218-3

供应商器件封装： TO-218

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件,管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 40mA，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 2mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 5A，4V

功率 - 最大值： 125 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -65°C # 150°C（TJ）