TK20N60W5,S1VF厂家价格_数据手册

搜索 TK20N60W5,S1VF 共 4 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK20N60W5,S1VF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.847993 +210：￥11.517343 +510：￥11.134888 +990：￥10.938197	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 165W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK20N60W5,S1VF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.9456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 165W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK20N60W5,S1VF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥80.470822 +30：￥56.523409 +120：￥39.84652 +510：￥33.885866 +1020：￥33.561382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 165W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK20N60W5,S1VF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 下载数据手册晶体管	+1：￥85.567729 +10：￥75.286336 +30：￥62.517507 +120：￥43.115523 +510：￥36.648194	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 165W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

TK20N60W5,S1VF参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	DTMOSIV
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	175 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	55 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1800 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	165W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	150°C（TJ）