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搜索 TPS1100D 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPS1100D TI(德州仪器) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.853241 +200：￥24.877721 +500：￥19.90208 +1000：￥16.585107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Texas Instruments 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 15 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.45 nC 10 V Vgs（最大值）： +2V，-15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 791mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPS1100D Texas Instruments(德州仪器) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Texas Instruments 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 15 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.45 nC 10 V Vgs（最大值）： +2V，-15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 791mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPS1100D TI(德州仪器) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.888017 +10：￥9.758675 +100：￥7.843426 +500：￥6.443853 +1000：￥5.858101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Texas Instruments 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 15 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.45 nC 10 V Vgs（最大值）： +2V，-15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 791mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPS1100D TI(德州仪器) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.634974 +10：￥23.872305 +100：￥19.187098 +500：￥15.763373 +1000：￥14.330466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Texas Instruments 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 15 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.45 nC 10 V Vgs（最大值）： +2V，-15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 791mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPS1100D TI(德州仪器) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥20.065369 +75：￥12.387465 +300：￥12.287967 +525：￥12.022639 +1050：￥11.97289	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Texas Instruments 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 15 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.45 nC 10 V Vgs（最大值）： +2V，-15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 791mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPS1100D Texas Instruments 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube 下载数据手册未分类	+75：￥10.690513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

TPS1100D参数规格

属性	参数值
品牌:	Texas Instruments
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+2V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	791mW（Ta）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-40°C # 150°C（TJ）