TK17V65W,LQ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK17V65W,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.02306	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 8.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 900µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-DFN-EP（8x8）封装/外壳： 4-VSFN 裸露焊盘温度： 150°C

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	TK17V65W,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥9.729719	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 8.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 900µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-DFN-EP（8x8）封装/外壳： 4-VSFN 裸露焊盘温度： 150°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TK17V65W,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥23.80147	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 8.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 900µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-DFN-EP（8x8）封装/外壳： 4-VSFN 裸露焊盘温度： 150°C
TK17V65W,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.077604 +10：￥37.770671 +25：￥35.70221 +100：￥28.561768 +250：￥26.975003	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -
TK17V65W,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： * 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

Mouser

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	TK17V65W,LQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 8.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 900µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-DFN-EP（8x8）封装/外壳： 4-VSFN 裸露焊盘温度： 150°C

TK17V65W,LQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	210 毫欧 8.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1800 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	156W（Tc）
工作温度:	150°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	4-DFN-EP（8x8）
封装/外壳:	4-VSFN 裸露焊盘
温度:	150°C