TPN2R903PL,L1Q厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN2R903PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.993762 +200：￥1.99969 +500：￥1.9232 +1000：￥1.890418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9mOhm 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2300 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 630mW（Ta），75W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN2R903PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥1.48552 +10000：￥1.375481 +25000：￥1.353473 +50000：￥1.320462	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9mOhm 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2300 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 630mW（Ta），75W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TPN2R903PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥3.633975 +10000：￥3.364792 +25000：￥3.310955 +50000：￥3.2302	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9mOhm 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2300 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 630mW（Ta），75W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C
TPN2R903PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.058956 +10：￥8.88305 +25：￥8.347517 +100：￥6.056625 +250：￥5.841562	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)
TPN2R903PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： U-MOSIX-H 工作温度： 175°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TPN2R903PL,L1Q Toshiba(东芝) 授权代理品牌	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 下载数据手册未分类	+1：￥11.501548 +10：￥10.155025 +100：￥7.79861 +500：￥6.157536 +1000：￥4.93725	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： U-MOSIX-H 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9mOhm 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2300 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 630mW（Ta），75W（Tc）工作温度： 175°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSON Advance（3.1x3.1）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 175°C

TPN2R903PL,L1Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIX-H
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.9mOhm 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2300 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	630mW（Ta），75W（Tc）
工作温度:	175°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	175°C