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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TSM042N03CS RLG_晶体管-FET,MOSFET-单个
+2500:

¥4.669364

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 7W(Tc)

工作温度: 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOP

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TSM042N03CS RLG_晶体管-FET,MOSFET-单个
+2500:

¥11.422501

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 7W(Tc)

工作温度: 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOP

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: 175°C(TJ)

TSM042N03CS RLG_晶体管-FET,MOSFET-单个
+1:

¥24.977208

+10:

¥22.424894

+100:

¥18.021808

+500:

¥14.80698

+1000:

¥12.268588

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP

TSM042N03CS RLG_晶体管-FET,MOSFET-单个
+1:

¥24.977208

+10:

¥22.424894

+100:

¥18.021808

+500:

¥14.80698

+1000:

¥12.268588

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TSM042N03CS RLG_晶体管
TSM042N03CS RLG

MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP

晶体管

+1:

¥29.537146

+10:

¥26.309043

+100:

¥21.466888

+500:

¥17.593163

+1000:

¥14.510326

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 7W(Tc)

工作温度: 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOP

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: 175°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
TSM042N03CS RLG_未分类
TSM042N03CS RLG
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOP T/R

未分类

+5000:

¥10.232844

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

TSM042N03CS RLG参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2200 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 7W(Tc)
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: 175°C(TJ)