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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.036561 +200：￥0.413598 +500：￥0.399828 +1000：￥0.392945	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WEMT 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WEMT 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WEMT 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）
RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.190359 +10：￥4.849667 +100：￥3.289207 +500：￥2.565582 +1000：￥2.325547	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： 6-WEMT
RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.190359 +10：￥4.849667 +100：￥3.289207 +500：￥2.565582 +1000：￥2.325547	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： 6-WEMT

Mouser

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	RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WEMT 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

RW1C026ZPT2CR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1250 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-WEMT
封装/外壳:	6-SMD，扁平引线
温度:	150°C（TJ）