R6030JNZ4C13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 R6030JNZ4C13 共 5 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6030JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥112.720575 +100：￥76.228306 +200：￥55.954877 +500：￥40.546979 +1000：￥38.519624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 143 毫欧 15A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 5.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247G 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6030JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4：￥79.43063 +10：￥66.597984 +50：￥61.878816 +100：￥58.815418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 143 毫欧 15A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 5.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247G 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6030JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥150.598522 +30：￥120.174337 +120：￥107.524489 +510：￥94.874358 +1020：￥85.386937	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 143 毫欧 15A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 5.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247G 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6030JNZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6030JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管	+1：￥123.854391 +10：￥115.042617 +30：￥97.745428 +120：￥92.523638 +1020：￥87.301845	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 143 毫欧 15A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 5.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247G 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6030JNZ4C13 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥22.903822 +10：￥21.472334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R6030JNZ4C13参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	143 毫欧 15A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	7V 5.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	74 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2500 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	370W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247G
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）