RFD14N05LSM9A厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 RFD14N05LSM9A 共 17 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD14N05LSM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.174518 +10：￥5.449598 +30：￥4.541372	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 14A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD14N05LSM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册未分类	+1：￥5.190453 +10：￥4.217926 +30：￥3.726199 +100：￥2.895727 +500：￥2.611618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 14A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD14N05LSM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.004914	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 14A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RFD14N05LSM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册未分类	+2500：￥8.065027	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 14A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
RFD14N05LSM9A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	RFD14N05LSM9A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.438802 +500：￥1.413717 +5000：￥1.376196 +15000：￥1.351216 +27500：￥1.251087	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RFD14N05LSM9A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	RFD14N05LSM9A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.648921 +200：￥1.60771 +2500：￥1.552722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD14N05LSM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.789631 +5000：￥1.666247 +12500：￥1.604525 +25000：￥1.542803	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 14A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RFD14N05LSM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.60336 +5000：￥4.150826 +7500：￥4.069437 +12500：￥3.952862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 14A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
RFD14N05LSM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.134471 +10：￥10.923226 +100：￥6.928753 +500：￥5.70425 +1000：￥5.175683	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252AA
RFD14N05LSM9A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.134471 +10：￥10.923226 +100：￥6.928753 +500：￥5.70425 +1000：￥5.175683	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252AA

RFD14N05LSM9A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 14A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	40 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	670 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	48W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）