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RFD14N05SM9A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥2.939436

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¥2.622545

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¥2.218236

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¥2.032472

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 50 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 14A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 20 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 570 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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RFD14N05SM9A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥4.530845

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 50 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 14A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 20 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 570 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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RFD14N05SM9A_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.488234

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¥4.874911

+12500:

¥4.872616

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 50 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 14A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 20 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 570 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

RFD14N05SM9A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥20.653157

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¥13.034437

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¥8.640669

+500:

¥6.753431

+1000:

¥6.145921

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252AA

RFD14N05SM9A_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+1000:

¥6.145921

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252AA

RFD14N05SM9A_未分类
RFD14N05SM9A
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 48W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

Mouser
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RFD14N05SM9A_未分类
RFD14N05SM9A
授权代理品牌

MOSFET N-CH 50V 14A DPAK

未分类

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¥20.0653

+10:

¥13.067322

+25:

¥13.050738

+100:

¥9.253255

+500:

¥7.329639

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

艾睿
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RFD14N05SM9A_未分类
RFD14N05SM9A
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Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

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¥10.21949

+10:

¥9.332477

+25:

¥9.155326

+100:

¥7.533324

+250:

¥7.462966

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
RFD14N05SM9A_未分类
RFD14N05SM9A
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2500:

¥4.733095

库存: 0

货期:7~10 天

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RFD14N05SM9A_未分类
RFD14N05SM9A
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Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2500:

¥5.091207

库存: 0

货期:7~10 天

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RFD14N05SM9A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 20 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 570 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 48W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)