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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN1962FE(TE85L,F)_晶体管-双极
RN1962FE(TE85L,F)
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

晶体管-双极

+1:

¥1.070879

+200:

¥0.427288

+500:

¥0.413009

+1000:

¥0.405956

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 100mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN1962FE(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 100mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度:

RN1962FE(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

晶体管-双极

+1:

¥2.143138

+10:

¥1.414473

+100:

¥1.017278

+500:

¥0.853542

+1000:

¥0.801677

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 100mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

RN1962FE(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

晶体管-双极

+1:

¥2.143138

+10:

¥1.414473

+100:

¥1.017278

+500:

¥0.853542

+1000:

¥0.801677

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 100mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN1962FE(TE85L,F)_晶体管
RN1962FE(TE85L,F)
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

晶体管

+1:

¥2.449929

+10:

¥1.616955

+100:

¥0.979972

+1000:

¥0.930974

+4000:

¥0.91464

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 100mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度:

RN1962FE(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 100mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: ES6
温度: