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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | RN2610(TE85L,F) 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
RN2610(TE85L,F)参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值): | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 4.7 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | - |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 120 1mA,5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 300mV 250µA,5mA |
| 电流 - 集电极截止(最大值): | 100nA(ICBO) |
| 频率 - 跃迁: | 200MHz |
| 功率 - 最大值: | 300mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SC-74,SOT-457 |
| 供应商器件封装: | SM6 |
| 温度: |



