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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN2506(TE85L,F)_晶体管-双极
RN2506(TE85L,F)
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

晶体管-双极

+1:

¥0.789562

+200:

¥0.315042

+500:

¥0.304514

+1000:

¥0.299312

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMV

温度:

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RN2506(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

晶体管-双极

+1:

¥1.603976

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMV

温度:

Digi-Key
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RN2506(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

晶体管-双极

+3000:

¥0.779293

+6000:

¥0.745026

+9000:

¥0.644345

+30000:

¥0.632257

+75000:

¥0.5236

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMV

温度:

RN2506(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

晶体管-双极

+1:

¥4.361251

+10:

¥3.027956

+100:

¥1.530176

+500:

¥1.248565

+1000:

¥0.92633

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74A, SOT-753

RN2506(TE85L,F)_晶体管-双极
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晶体管-双极

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¥4.361251

+10:

¥3.027956

+100:

¥1.530176

+500:

¥1.248565

+1000:

¥0.92633

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74A, SOT-753

Mouser
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RN2506(TE85L,F)_晶体管
RN2506(TE85L,F)
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMV

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN2506(TE85L,F)_未分类
RN2506(TE85L,F)
授权代理品牌
+25:

¥1.515198

+50:

¥1.129341

+100:

¥1.054052

+200:

¥0.959939

+500:

¥0.826301

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

RN2506(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 200MHz
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74A,SOT-753
供应商器件封装: SMV
温度: