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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN2908FE(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

晶体管-双极

+4000:

¥0.752747

+8000:

¥0.719575

+12000:

¥0.622422

+28000:

¥0.610745

+100000:

¥0.50564

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200MHz

功率 - 最大值: 100mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度:

RN2908FE(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

晶体管-双极

+1:

¥4.224022

+10:

¥2.93197

+100:

¥1.478408

+500:

¥1.205834

+1000:

¥0.894624

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 100mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

RN2908FE(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

晶体管-双极

+1:

¥4.224022

+10:

¥2.93197

+100:

¥1.478408

+500:

¥1.205834

+1000:

¥0.894624

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 100mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN2908FE(TE85L,F)_晶体管
RN2908FE(TE85L,F)
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200MHz

功率 - 最大值: 100mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度:

RN2908FE(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 200MHz
功率 - 最大值: 100mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: ES6
温度: