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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN1971TE85LF_晶体管-双极
RN1971TE85LF
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

晶体管-双极

+1:

¥0.8463

+200:

¥0.337679

+500:

¥0.326396

+1000:

¥0.320819

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 200mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度:

Digi-Key
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RN1971TE85LF_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

晶体管-双极

+3000:

¥0.748775

+6000:

¥0.685759

+15000:

¥0.593089

+30000:

¥0.581969

+75000:

¥0.481885

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 200mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度:

RN1971TE85LF_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

晶体管-双极

+1:

¥3.953928

+10:

¥2.965446

+25:

¥2.594765

+100:

¥1.408586

+250:

¥1.401173

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 200mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

RN1971TE85LF_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 200mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mouser
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RN1971TE85LF_晶体管
RN1971TE85LF
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 200mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度:

RN1971TE85LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 200mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: US6
温度: