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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN4910,LF_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

晶体管-双极

+3000:

¥0.61496

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200MHz

功率 - 最大值: 200mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度:

RN4910,LF_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 200mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

RN4910,LF_晶体管-双极
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

晶体管-双极

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系列: -

晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 200mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mouser
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RN4910,LF_晶体管
RN4910,LF
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 200MHz

功率 - 最大值: 200mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度:

RN4910,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 200MHz
功率 - 最大值: 200mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: US6
温度: