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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN1710JE(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

NPN X 2 BRT, Q1BSR=4.7K?, Q1BER=

晶体管-双极

+4000:

¥0.892085

+8000:

¥0.802829

+12000:

¥0.713693

+28000:

¥0.669065

+100000:

¥0.579808

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 100mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-553

供应商器件封装: ESV

温度:

RN1710JE(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

NPN X 2 BRT, Q1BSR=4.7K?, Q1BER=

晶体管-双极

+1:

¥4.811675

+10:

¥3.572669

+100:

¥2.020904

+500:

¥1.338127

+1000:

¥1.02585

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

功率-最大值: 100mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-553

RN1710JE(TE85L,F)_晶体管-双极
授权代理品牌

NPN X 2 BRT, Q1BSR=4.7K?, Q1BER=

晶体管-双极

+1:

¥4.811675

+10:

¥3.572669

+100:

¥2.020904

+500:

¥1.338127

+1000:

¥1.02585

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

功率-最大值: 100mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-553

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN1710JE(TE85L,F)_晶体管
RN1710JE(TE85L,F)
授权代理品牌

NPN X 2 BRT, Q1BSR=4.7K?, Q1BER=

晶体管

+1:

¥6.486819

+10:

¥4.841383

+100:

¥2.737123

+500:

¥1.819475

+1000:

¥1.392294

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 100mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-553

供应商器件封装: ESV

温度:

RN1710JE(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 100mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-553
供应商器件封装: ESV
温度: