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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥17.549196 +200：￥6.796762 +500：￥6.556362 +1000：￥6.436162	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 33 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，30A 功率 - 最大值： 72 W 开关能量： 480µJ（开），490µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 84 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 37ns/114ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3 供应商器件封装： TO-3PFM 温度： -40°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM 下载数据手册未分类	+7：￥38.716915 +10：￥29.038245 +50：￥25.584442 +100：￥21.850327 +500：￥20.15359	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 33 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，30A 功率 - 最大值： 72 W 开关能量： 480µJ（开），490µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 84 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 37ns/114ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3 供应商器件封装： TO-3PFM 温度： -40°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM 下载数据手册晶体管-IGBT	+5：￥64.047974 +10：￥48.035981	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 33 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，30A 功率 - 最大值： 72 W 开关能量： 480µJ（开），490µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 84 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 37ns/114ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3 供应商器件封装： TO-3PFM 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥100.053075 +30：￥57.181251 +120：￥47.735568 +510：￥40.813088 +1020：￥40.158918	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 33 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，30A 功率 - 最大值： 72 W 开关能量： 480µJ（开），490µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 84 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 37ns/114ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3 供应商器件封装： TO-3PFM 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM 下载数据手册未分类	+1：￥92.366715 +10：￥73.462217 +25：￥56.050179 +100：￥47.592904 +450：￥43.447181	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 33 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，30A 功率 - 最大值： 72 W 开关能量： 480µJ（开），490µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 84 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 37ns/114ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3 供应商器件封装： TO-3PFM 温度： -40°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 650V 33A 72000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM 下载数据手册未分类	+5：￥72.901607 +10：￥40.271771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 650V 33A 72000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM 下载数据手册未分类	+23：￥42.129125 +30：￥35.544933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RGW60TK65GVC11 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥13.420208 +10：￥12.436059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RGW60TK65GVC11参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	33 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	1.9V 15V，30A
功率 - 最大值:	72 W
开关能量:	480µJ（开），490µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	84 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	37ns/114ns
测试条件:	400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	-
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装:	TO-3PFM
温度:	-40°C # 175°C（TJ）