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自营 现货库存
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RGTH60TK65GC11_晶体管-IGBT
RGTH60TK65GC11
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM

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晶体管-IGBT
+1：

￥17.833305

+210：

￥7.113653

+510：

￥6.88418

+990：

￥6.76398

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 28 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，30A

功率 - 最大值： 61 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 58 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 27ns/105ns

测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3

供应商器件封装： TO-3PFM

温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营 国内现货
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RGTH60TK65GC11_晶体管-IGBT
RGTH60TK65GC11
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM

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晶体管-IGBT
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￥32.682334

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￥25.883242

+120：

￥22.185586

+510：

￥19.720637

+1020：

￥16.885736

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 28 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，30A

功率 - 最大值： 61 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 58 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 27ns/105ns

测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3

供应商器件封装： TO-3PFM

温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key
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RGTH60TK65GC11_晶体管-IGBT
RGTH60TK65GC11
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM

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晶体管-IGBT
+1：

￥99.747102

+30：

￥56.982369

+120：

￥47.563458

+510：

￥40.660713

+1020：

￥39.986809

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 28 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，30A

功率 - 最大值： 61 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 58 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 27ns/105ns

测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3

供应商器件封装： TO-3PFM

温度： -40°C # 175°C（TJ）

Mouser
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RGTH60TK65GC11_未分类
RGTH60TK65GC11
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM

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￥92.200886

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￥62.517507

+25：

￥52.899429

+100：

￥44.276324

+250：

￥44.110495

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 28 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，30A

功率 - 最大值： 61 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 58 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 27ns/105ns

测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3

供应商器件封装： TO-3PFM

温度： -40°C # 175°C（TJ）

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RGTH60TK65GC11_未分类
RGTH60TK65GC11
ROHM(罗姆)
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 650V 28A 61000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube

未分类
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￥65.551133

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￥44.397672

库存： 0

货期：7~10 天

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RGTH60TK65GC11_未分类
RGTH60TK65GC11
ROHM(罗姆)
授权代理品牌

90002000,晶体管, IGBT, 650V, 28A, 175度 C, 61W

未分类
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￥53.124805

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￥30.320073

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￥24.809685

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￥24.318148

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￥24.175862

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货期：7~10 天

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RGTH60TK65GC11_未分类
RGTH60TK65GC11
ROHM(罗姆)
授权代理品牌
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￥51.950806

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￥35.186193

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货期：7~10 天

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RGTH60TK65GC11_未分类
RGTH60TK65GC11
ROHM(罗姆)
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IGBT, 650V, 28A, 175DEG C, 61W

未分类
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￥58.668506

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￥33.490205

+100：

￥27.399916

+500：

￥26.863666

+1000：

￥26.314645

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

RGTH60TK65GC11参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 28 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V 15V，30A
功率 - 最大值: 61 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 58 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 27ns/105ns
测试条件: 400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -40°C # 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装: TO-3PFM
温度: -40°C # 175°C（TJ）