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RGTV60TS65GC11_晶体管-IGBT
RGTV60TS65GC11
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

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晶体管-IGBT
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￥52.013805

+210：

￥20.750886

+510：

￥20.062468

+990：

￥19.723722

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，30A

功率 - 最大值： 194 W

开关能量： 570µJ（开），500µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 64 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 33ns/105ns

测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247N

温度： -40°C # 175°C（TJ）

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RGTV60TS65GC11_未分类
RGTV60TS65GC11
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

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￥32.55383

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￥26.759991

+500：

￥22.844214

+1000：

￥19.54213

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，30A

功率 - 最大值： 194 W

开关能量： 570µJ（开），500µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 64 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 33ns/105ns

测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247N

温度： -40°C # 175°C（TJ）

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RGTV60TS65GC11_晶体管-IGBT
RGTV60TS65GC11
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晶体管-IGBT
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￥71.63295

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￥64.344228

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￥52.715719

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￥44.875953

+1000：

￥38.255341

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，30A

功率 - 最大值： 194 W

开关能量： 570µJ（开），500µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 64 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 33ns/105ns

测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247N

温度： -40°C # 175°C（TJ）

Mouser
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￥63.79395

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￥57.373573

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￥57.23697

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￥47.674708

+270：

￥44.259613

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.9V 15V，30A

功率 - 最大值： 194 W

开关能量： 570µJ（开），500µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 64 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 33ns/105ns

测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247N

温度： -40°C # 175°C（TJ）

RGTV60TS65GC11参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.9V 15V，30A
功率 - 最大值: 194 W
开关能量: 570µJ（开），500µJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 64 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 33ns/105ns
测试条件: 400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -40°C # 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247N
温度: -40°C # 175°C（TJ）